当前位置:首页 > 科技创新 > 创新动态

发明创造“芯”突破!产业基础研究院荣获国家专利表彰
来源:新闻中心
发布时间:2023年02月23日 编辑:新闻中心

       近日,国家知识产权局举行第二十三届中国专利奖颁奖活动,中国电科产业基础研究院的发明专利《一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法》获得中国专利银奖。

       该项专利是化合物半导体材料制备的新方法新技术,聚焦高纯度低缺陷半导体材料领域,国际首次实现单晶生长与晶体合成一步完成,创造性地解决了磷化铟制备关键工艺难题,有力推动磷化铟材料在光通讯、毫米波、太赫兹等领域重大工程应用,为未来6G通信发展提供坚实支撑。

打印 关闭